IXFL82N60P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFL82N60P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS264

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFL82N60P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL82N60P даташит

 ..1. Size:205K  ixys
 ixfl82n60p.pdf pdf_icon

IXFL82N60P

IXFL 82N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 82 A Power MOSFET RDS(on) 78 m ISOPLUS264TM trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TM ISOPLUS264 (IXFL) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25

Другие IGBT... IXFL40N110P, IXFL44N100P, IXFL44N60, IXFL44N80, IXFL60N60, IXFL60N80P, IXFL70N60Q2, IXFL80N50Q2, IRFP450, IXFN100N10S1, IXFN100N10S2, IXFN100N10S3, IXFN100N20, IXFN100N50P, IXFN100N50Q3, IXFN102N30P, IXFN110N60P3