Справочник MOSFET. IXFL82N60P

 

IXFL82N60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFL82N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 240 nC
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL82N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  ixys
 ixfl82n60p.pdf pdf_icon

IXFL82N60P

IXFL 82N60PVDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 82 APower MOSFET RDS(on) 78 m ISOPLUS264TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTM ISOPLUS264 (IXFL)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25

Другие MOSFET... IXFL40N110P , IXFL44N100P , IXFL44N60 , IXFL44N80 , IXFL60N60 , IXFL60N80P , IXFL70N60Q2 , IXFL80N50Q2 , IRFB3607 , IXFN100N10S1 , IXFN100N10S2 , IXFN100N10S3 , IXFN100N20 , IXFN100N50P , IXFN100N50Q3 , IXFN102N30P , IXFN110N60P3 .

 

 
Back to Top

 


 
.