Справочник MOSFET. IXFN30N110P

 

IXFN30N110P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFN30N110P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 695 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 6.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 235 nC
   trⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXFN30N110P

 

 

IXFN30N110P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:192K  ixys
 ixfk32n60 ixfn32n60 ixfk36n60 ixfn36n60.pdf

IXFN30N110P IXFN30N110P

IXFK 32N60 IXFN 32N60IXFK 36N60 IXFN 36N60Preliminary DataVDSS ID25 RDS(on) trrIXFK/FN 36N60 600V 36A 0.18 250nsHiPerFETTM Power MOSFETIXFK/FN 32N60 600V 32A 0.25 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AA (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 600 600 VGVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1

 9.2. Size:128K  ixys
 ixfn39n90.pdf

IXFN30N110P IXFN30N110P

VDSS = 900 VIXFN 39N90HiPerFETTMID25 = 39 APower MOSFETsRDS(on) = 0.22 Single MOSFET DieD trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeGAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VE153432VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 900

 9.3. Size:128K  ixys
 ixfn36n100.pdf

IXFN30N110P IXFN30N110P

HiPerFETTMIXFN 36N100 V = 1000VDSSPower MOSFETsID25 = 36ASingle Die MOSFET RDS(on) = 0.24DN-Channel Enhancement ModeGAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VGVGS Continuous 20 VVGSM

 9.4. Size:128K  ixys
 ixfn34n80.pdf

IXFN30N110P IXFN30N110P

HiPerFETTM Power MOSFETsIXFN 34N80 VDSS = 800 VSingle DieMOSFETID25 = 34 ARDS(on) = 0.24 WN-Channel Enhancement Mode DAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrtrr 250 nsPreliminary data sheetSSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 BE153432VDSS TJ = 25C to 150C 800 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 VGVGS Continuous 20 VVGSM Transi

 9.5. Size:104K  ixys
 ixfn340n07.pdf

IXFN30N110P IXFN30N110P

HiPerFETTMIXFN 340N07 VDSS = 70 VPower MOSFETsID25 = 340 ASingle Die MOSFET RDS(on) = 4 mD trr 200 ns N-Channel Enhancement ModeGAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSSSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C70 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 70 VGVGS Co

 9.6. Size:570K  ixys
 ixfn34n100.pdf

IXFN30N110P IXFN30N110P

IXFN 34N100 VDSS = 1000VHiPerFETTMID25 = 34APower MOSFETsRDS(on) = 0.28Single Die MOSFETDN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trr GSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VGVGS Continuous 20 VVGSM Tran

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top