IXFN320N17T2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFN320N17T2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1070 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 170 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 260 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: SOT227

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFN320N17T2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFN320N17T2 даташит

 8.1. Size:192K  ixys
 ixfk32n60 ixfn32n60 ixfk36n60 ixfn36n60.pdf pdf_icon

IXFN320N17T2

IXFK 32N60 IXFN 32N60 IXFK 36N60 IXFN 36N60 Preliminary Data VDSS ID25 RDS(on) trr IXFK/FN 36N60 600V 36A 0.18 250ns HiPerFETTM Power MOSFET IXFK/FN 32N60 600V 32A 0.25 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 600 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1

 9.1. Size:128K  ixys
 ixfn39n90.pdf pdf_icon

IXFN320N17T2

VDSS = 900 V IXFN 39N90 HiPerFETTM ID25 = 39 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.22 Single MOSFET Die D trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V E153432 VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 900

 9.2. Size:128K  ixys
 ixfn36n100.pdf pdf_icon

IXFN320N17T2

HiPerFETTM IXFN 36N100 V = 1000V DSS Power MOSFETs ID25 = 36A Single Die MOSFET RDS(on) = 0.24 D N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V G VGS Continuous 20 V VGSM

 9.3. Size:128K  ixys
 ixfn34n80.pdf pdf_icon

IXFN320N17T2

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFN 34N80 VDSS = 800 V Single DieMOSFET ID25 = 34 A RDS(on) = 0.24 W N-Channel Enhancement Mode D Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr trr 250 ns Preliminary data sheet S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 800 V G VGS Continuous 20 V VGSM Transi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFN24N100F, IXFN26N100P, IXFN26N120P, IXFN27N80Q, IXFN280N085, IXFN300N10P, IXFN30N110P, IXFN30N120P, AON7403, IXFN32N100P, IXFN32N100Q3, IXFN32N120, IXFN32N120P, IXFN32N80P, IXFN340N06, IXFN34N100, IXFN360N10T