IXFN40N90P
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFN40N90P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 695
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 6.5
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 33
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 230
nC
trⓘ -
Время нарастания: 300
ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21
Ohm
Тип корпуса:
SOT227
Аналог (замена) для IXFN40N90P
IXFN40N90P
Datasheet (PDF)
..1. Size:113K ixys
ixfn40n90p.pdf 
Preliminary Technical InformationPolarTM Power MOSFET VDSS = 900VIXFN40N90PID25 = 33AHiPerFETTM RDS(on) 210m N-Channel Enhancement Modetrr 300nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227E153432VDSS TJ = 25C to 150C 900 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1
7.1. Size:120K ixys
ixfn40n110q3.pdf 
Advance Technical InformationHiperFETTM VDSS = 1100VIXFN40N110Q3Power MOSFET ID25 = 35A Q3-Class RDS(on) 260m N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic RectifierminiBLOCE153432SSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 1100 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1100 VSVGSS Continuous 30 VDV
9.1. Size:179K ixys
ixfn420n10t.pdf 
Advance Technical InformationGigaMOSTM Trench VDSS = 100VIXFN420N10THiperFETTM ID25 = 420A RDS(on) 2.3m Power MOSFETtrr 140nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedminiBLOC, SOT-227E153432Fast Intrinsic DiodeSGSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175
9.2. Size:162K ixys
ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdf 
VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C
9.3. Size:84K ixys
ixfn48n60p.pdf 
IXFN 48N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 40 APower MOSFET RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VE153432SVGSS Cont
9.4. Size:128K ixys
ixfn44n60.pdf 
HiPerFETTMIXFN 44N60 VDSS = 600 VPower MOSFETsID25 = 44 ASingle Die MOSFET RDS(on) = 130 mWDtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeGAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSSSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 BE153432VDSS TJ = 25C to 150C 600 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 VGVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VSI
9.5. Size:108K ixys
ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf 
VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C
9.6. Size:151K ixys
ixfn44n50u2-u3 ixfn48n50u2-u3.pdf 
VDSS ID (cont) RDS(on) trrHiPerFETTM500 V 44 A 0.12 W 35 nsIXFN44N50U2 IXFN44N50U3Power MOSFETsIXFN48N50U2 IXFN48N50U3 500 V 48 A 0.10 W 35 ns3 3Buck & Boost Configurations forPFC & Motor Control Circuits422Preliminary data411miniBLOC, SOT-227 BSymbol Test Conditions Maximum Ratings1VDSS TJ = 25C to 150C 500 V2VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 5
9.7. Size:138K ixys
ixfn44n80.pdf 
IXFN 44N80 VDSS = 800 VHiPerFETTMID25 = 44 APower MOSFETsRDS(on) = 0.165 Single MOSFET DieDN-Channel Enhancement ModeGAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)VDSS TJ = 25C to 150C 800 V E153432SVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VGVGS Continuous 20 VVGSM Tran
Другие MOSFET... FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, GMM3x120-0075X2-SMD
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, STP80NF70
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
, FDMS3610S
, GWM100-0085X1-SMD
, FDMS3606S
, GWM100-01X1-SL
.
