Справочник MOSFET. IXFN60N80P

 

IXFN60N80P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFN60N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1040 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXFN60N80P

 

 

IXFN60N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  ixys
 ixfn60n80p.pdf

IXFN60N80P IXFN60N80P

IXFN 60N80PVDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 53 APower MOSFET RDS(on) 140 m trr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VSGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M

 7.1. Size:71K  ixys
 ixfn60n60.pdf

IXFN60N80P IXFN60N80P

IXFN 60N60HiPerFETTM VDSS = 600 VID25 = 60 APower MOSFETsRDS(on) = 75 mWSingle Die MOSFETDN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrGPreliminary dataSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 600 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 VGVGS Continuous 20 VVGSM Transient

 9.1. Size:148K  ixys
 ixfn64n60p.pdf

IXFN60N80P IXFN60N80P

VDSS = 600 VIXFN 64N60PPolarHVTM HiPerFETID25 = 50 APower MOSFET RDS(on) 96 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432SSymbol Test Conditions Maximum Ratings GVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VS

 9.2. Size:144K  ixys
 ixfn64n50p.pdf

IXFN60N80P IXFN60N80P

IXFN 64N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 61 APower MOSFET RDS(on) 85 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VSVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VG

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top