3N212 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: 3N212
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 27 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 35 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
   Тип корпуса: TO72
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам