3N212 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 3N212

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.36 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 27 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 35 V

Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.05 A

Максимальная температура канала (Tj): 200 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 100 Ohm

Тип корпуса: TO72

Другие MOSFET... 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 , 3N209 , 3N210 , 3N211 , IRFP260 , 3N213 , 3N242 , 3N323 , 3N324 , 3N325 , 3N325A , 3SK100 , 3SK101 .