3N212 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 3N212
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 27 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 35 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
Тип корпуса: TO72
Аналог (замена) для 3N212
3N212 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 , 3N209 , 3N210 , 3N211 , 5N60 , 3N213 , 3N242 , 3N323 , 3N324 , 3N325 , 3N325A , 3SK100 , 3SK101 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet