IXFP4N100Q - описание и поиск аналогов

 

IXFP4N100Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFP4N100Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IXFP4N100Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP4N100Q даташит

 8.1. Size:163K  ixys
 ixfa4n60p3 ixfp4n60p3 ixfy4n60p3.pdf pdf_icon

IXFP4N100Q

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFY4N60P3 Power MOSFETs ID25 = 4A IXFA4N60P3 RDS(on) 2.2 IXFP4N60P3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V TO-263 AA (IXFA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RG

Другие MOSFET... IXFP180N10T2 , IXFP22N60P3 , IXFP230N075T2 , IXFP3N120 , IXFP3N50PM , IXFP3N80 , IXFP4N100P , IXFP4N100PM , IRFP450 , IXFP4N100QM , IXFP5N100P , IXFP5N50PM , IXFP6N120P , IXFP76N15T2 , IXFP7N100P , IXFP7N80P , IXFP7N80PM .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.