Справочник MOSFET. IXFP7N80PM

 

IXFP7N80PM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFP7N80PM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.44 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXFP7N80PM

 

 

IXFP7N80PM Datasheet (PDF)

 8.1. Size:159K  ixys
 ixfa7n60p3 ixfp7n60p3.pdf

IXFP7N80PM IXFP7N80PM

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA7N60P3Power MOSFETs ID25 = 7AIXFP7N60P3 RDS(on) 1.15 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-263 AA (IXFA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 600 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 600 VTO-220AB

 9.1. Size:184K  ixys
 ixfp72n20x3m.pdf

IXFP7N80PM IXFP7N80PM

Preliminary Technical InformationX3-Class HiPerFETTM VDSS = 200VIXFP72N20X3MPower MOSFET ID25 = 72A RDS(on) 20m (Electrically Isolated Tab)OVERMOLDEDTO-220N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGIsolated TabDSVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VG = Gate D

 9.2. Size:180K  ixys
 ixfa76n15t2 ixfp76n15t2.pdf

IXFP7N80PM IXFP7N80PM

Advance Technical InformationTrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 150VIXFA76N15T2ID25 = 76APower MOSFETIXFP76N15T2 RDS(on) 20m N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated TO-263 AA (IXFA)Fast Intrnsic RectifierGSSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (TAB)VDSS TJ = 25C to 175C 150 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M

 9.3. Size:254K  inchange semiconductor
 ixfp72n20x3m.pdf

IXFP7N80PM IXFP7N80PM

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFP72N20X3MFEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top