IXFQ60N50P3 - описание и поиск аналогов

 

IXFQ60N50P3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFQ60N50P3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1040 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для IXFQ60N50P3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFQ60N50P3 даташит

 7.1. Size:288K  ixys
 ixfa60n25x3 ixfp60n25x3 ixfq60n25x3.pdf pdf_icon

IXFQ60N50P3

X3-Class HiPerFETTM VDSS = 250V IXFA60N25X3 Power MOSFET ID25 = 60A IXFP60N25X3 RDS(on) 23m IXFQ60N25X3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXFA) Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V (IXFP) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 250 V VGSS Co

 7.2. Size:166K  ixys
 ixfh60n60x ixfq60n60x.pdf pdf_icon

IXFQ60N50P3

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFQ60N60X Power MOSFET ID25 = 60A IXFH60N60X RDS(on) 55m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-3P (IXFQ) Fast Intrinsic Diode G D S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V TO-247 (IXFH) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1

Другие MOSFET... IXFP8N50PM , IXFQ10N80P , IXFQ12N80P , IXFQ14N80P , IXFQ22N60P3 , IXFQ24N50P2 , IXFQ28N60P3 , IXFQ50N60P3 , STF13NM60N , IXFR100N25 , IXFR102N30P , IXFR140N20P , IXFR140N30P , IXFR14N100Q2 , IXFR150N15 , IXFR15N100Q3 , IXFR16N120P .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.