Справочник MOSFET. IXFQ60N50P3

 

IXFQ60N50P3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFQ60N50P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1040 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для IXFQ60N50P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFQ60N50P3 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:288K  ixys
 ixfa60n25x3 ixfp60n25x3 ixfq60n25x3.pdf pdf_icon

IXFQ60N50P3

X3-Class HiPerFETTM VDSS = 250VIXFA60N25X3Power MOSFET ID25 = 60AIXFP60N25X3 RDS(on) 23m IXFQ60N25X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263(IXFA)Fast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220VDSS TJ = 25C to 150C 250 V(IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 250 VVGSS Co

 7.2. Size:166K  ixys
 ixfh60n60x ixfq60n60x.pdf pdf_icon

IXFQ60N50P3

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFQ60N60XPower MOSFET ID25 = 60AIXFH60N60X RDS(on) 55m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXFQ)Fast Intrinsic DiodeGDSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VTO-247 (IXFH)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1

Другие MOSFET... IXFP8N50PM , IXFQ10N80P , IXFQ12N80P , IXFQ14N80P , IXFQ22N60P3 , IXFQ24N50P2 , IXFQ28N60P3 , IXFQ50N60P3 , IRF2807 , IXFR100N25 , IXFR102N30P , IXFR140N20P , IXFR140N30P , IXFR14N100Q2 , IXFR150N15 , IXFR15N100Q3 , IXFR16N120P .

History: 2N6903JANTX | D9N65

 

 
Back to Top

 


 
.