IXFR24N80P - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFR24N80P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFR24N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247
 

 Аналог (замена) для IXFR24N80P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR24N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ixys
 ixfr24n80p.pdf pdf_icon

IXFR24N80P

IXFR 24N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 13 APower MOSFET RDS(on) 420 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RG

 7.1. Size:112K  ixys
 ixfr24n100.pdf pdf_icon

IXFR24N80P

HiPerFETTM Power VDSS = 1000VIXFR24N100ID25 = 22AMOSFET RDS(on) 390m ISOPLUS247TMt 250ns(Electrically Isolated Back Surface)rrN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VVGSS Co

 7.2. Size:33K  ixys
 ixfr24n50 ixfr26n50.pdf pdf_icon

IXFR24N80P

Advanced Technical InformationVDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM Power MOSFETsIXFR 26N50 500 V 24 A 0.20 WISOPLUS247TMIXFR 24N50 500 V 22 A 0.23 W(Electrically Isolated Back Surface)trr 250 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dV/dt, Low trr, HDMOSTM FamilyISOPLUS 247TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 50

 7.3. Size:141K  ixys
 ixfr24n100q3.pdf pdf_icon

IXFR24N80P

Advance Technical InformationHiperFETTM VDSS = 1000VIXFR24N100Q3Power MOSFET ID25 = 18A Q3-Class RDS(on) 490m trr 300ns(Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic RectifierISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C, R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFR180N15P , IXFR18N90P , IXFR200N10P , IXFR20N100P , IXFR20N120P , IXFR20N80P , IXFR21N100Q , IXFR230N20T , IRFZ48N , IXFR24N90P , IXFR24N90Q , IXFR26N100P , IXFR26N120P , IXFR26N60Q , IXFR30N110P , IXFR30N60P , IXFR32N100P .

 

 
Back to Top

 


 
.