Справочник MOSFET. IXFR44N80P

 

IXFR44N80P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFR44N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 200 nC
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXFR44N80P

 

 

IXFR44N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  ixys
 ixfr44n80p.pdf

IXFR44N80P IXFR44N80P

IXFR 44N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 25 APower MOSFET RDS(on) 200 m Electrically Isolated Tabtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 8

 7.1. Size:34K  ixys
 ixfr44n60.pdf

IXFR44N80P IXFR44N80P

HiPerFETTM Power MOSFETsIXFR 44N60 VDSS = 600 VISOPLUS247TMID25 = 38 A(Electrically Isolated Back Surface)RDS(on)= 130 mWSingle MOSFET Dietrr 250 nsISOPLUS 247TMSymbol Test Conditions Maximum Ratings E153432VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C38 AG = Gate D = Drain

 7.2. Size:156K  ixys
 ixfr44n50q3.pdf

IXFR44N80P IXFR44N80P

Advance Technical InformationHiperFETTM VDSS = 500VIXFR44N50Q3Pwer MOSFET ID25 = 25AQ3-CIass RDS(n) 154m trr 250ns(EIectricaIIy IsIated Tab)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic RectifierISOPLUS247E153432SymbI Test Cnditins Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VVGSS Continuous 30 VGVGSM Transient 40

 7.3. Size:153K  ixys
 ixfr44n50p.pdf

IXFR44N80P IXFR44N80P

IXFR 44N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 24 APower MOSFET RDS(on) 150 m ISOPLUS247TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel EnhancementAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISOPLUS247 (IXFR)E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 500 VVDGR TJ = 25

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top