IXFR90N30 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFR90N30  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFR90N30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR90N30 даташит

No data!

Другие IGBT... IXFR64N60P, IXFR64N60Q3, IXFR66N50Q2, IXFR70N15, IXFR80N15Q, IXFR80N50P, IXFR80N50Q3, IXFR80N60P3, IRFP250N, IXFT120N15P, IXFT12N100F, IXFT12N50F, IXFT12N90Q, IXFT13N100, IXFT140N10P, IXFT14N80P, IXFT150N17T2