IXFR90N30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXFR90N30
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 250 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUS247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IXFR90N30 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: RSS100N03FU6TB | BLM3400 | SSF3612E
History: RSS100N03FU6TB | BLM3400 | SSF3612E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b