IXFR90N30 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFR90N30 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFR90N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247
 

 Аналог (замена) для IXFR90N30

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR90N30 Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие MOSFET... IXFR64N60P , IXFR64N60Q3 , IXFR66N50Q2 , IXFR70N15 , IXFR80N15Q , IXFR80N50P , IXFR80N50Q3 , IXFR80N60P3 , AON7408 , IXFT120N15P , IXFT12N100F , IXFT12N50F , IXFT12N90Q , IXFT13N100 , IXFT140N10P , IXFT14N80P , IXFT150N17T2 .

History: AO6402A | HAT2092R | WMQ048NV6HG4 | ME2305A | APM4052DU4 | IPD90N06S4-07 | APM4017PU

 

 
Back to Top

 


 
.