IXFR90N30 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXFR90N30
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUS247
Аналог (замена) для IXFR90N30
IXFR90N30 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие MOSFET... IXFR64N60P , IXFR64N60Q3 , IXFR66N50Q2 , IXFR70N15 , IXFR80N15Q , IXFR80N50P , IXFR80N50Q3 , IXFR80N60P3 , AON7408 , IXFT120N15P , IXFT12N100F , IXFT12N50F , IXFT12N90Q , IXFT13N100 , IXFT140N10P , IXFT14N80P , IXFT150N17T2 .
History: AO6402A | HAT2092R | WMQ048NV6HG4 | ME2305A | APM4052DU4 | IPD90N06S4-07 | APM4017PU
History: AO6402A | HAT2092R | WMQ048NV6HG4 | ME2305A | APM4052DU4 | IPD90N06S4-07 | APM4017PU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b