Справочник MOSFET. IXFR90N30

 

IXFR90N30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFR90N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR90N30 Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: RSS100N03FU6TB | BLM3400 | SSF3612E

 

 
Back to Top

 


 
.