IXFT120N15P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXFT120N15P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: TO268
Аналог (замена) для IXFT120N15P
IXFT120N15P Datasheet (PDF)
ixfh120n15p ixft120n15p.pdf

IXFH 120N15P VDSS = 150 VPolarHTTM HiPerFETIXFT 120N15P ID25 = 120 APower MOSFET RDS(on) 16 m trr 200 nsN-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 VVDSS
ixfh120n25t ixft120n25t.pdf

Preliminary Technical InformationTrenchTM HiperFETTM VDSS = 250VIXFT120N25TPower MOSFETs ID25 = 120AIXFH120N25T RDS(on) 23m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268 (IXFT)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 250 VTO-247
ixfh12n90q ixft12n90q.pdf

IXFH 12N90Q VDSS = 900 VHiPerFETTMIXFT 12N90Q ID25 = 12 APower MOSFETsRDS(on) = 0.9 WQ ClassN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 900 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC
ixft12n100qhv.pdf

Advance Technical InformationHigh Voltage HiPerFETTMVDSS = 1000VIXFT12N100QHVPower MOSFETID25 = 12A Q-CLASS RDS(on) 1.05 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-268SGSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 1000 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VVGSS Continuous 20 VG = Ga
Другие MOSFET... IXFR64N60Q3 , IXFR66N50Q2 , IXFR70N15 , IXFR80N15Q , IXFR80N50P , IXFR80N50Q3 , IXFR80N60P3 , IXFR90N30 , 7N65 , IXFT12N100F , IXFT12N50F , IXFT12N90Q , IXFT13N100 , IXFT140N10P , IXFT14N80P , IXFT150N17T2 , IXFT15N100Q .
History: 2SK1553 | AP6680AGM | AP6982GM-HF | SIHFBC40AS | RP1E090RPTR | SM4286T9RL | AON3702
History: 2SK1553 | AP6680AGM | AP6982GM-HF | SIHFBC40AS | RP1E090RPTR | SM4286T9RL | AON3702



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent