IXFT120N15P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFT120N15P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO268

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFT120N15P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT120N15P даташит

 ..1. Size:177K  ixys
 ixfh120n15p ixft120n15p.pdf pdf_icon

IXFT120N15P

IXFH 120N15P VDSS = 150 V PolarHTTM HiPerFET IXFT 120N15P ID25 = 120 A Power MOSFET RDS(on) 16 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 V VDSS

 6.1. Size:180K  ixys
 ixfh120n25t ixft120n25t.pdf pdf_icon

IXFT120N15P

Preliminary Technical Information TrenchTM HiperFETTM VDSS = 250V IXFT120N25T Power MOSFETs ID25 = 120A IXFH120N25T RDS(on) 23m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-268 (IXFT) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 250 V TO-247

 8.1. Size:53K  ixys
 ixfh12n90q ixft12n90q.pdf pdf_icon

IXFT120N15P

IXFH 12N90Q VDSS = 900 V HiPerFETTM IXFT 12N90Q ID25 = 12 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.9 W Q Class N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 900 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC

 8.2. Size:148K  ixys
 ixft12n100qhv.pdf pdf_icon

IXFT120N15P

Advance Technical Information High Voltage HiPerFETTM VDSS = 1000V IXFT12N100QHV Power MOSFET ID25 = 12A Q-CLASS RDS(on) 1.05 N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode TO-268S G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1000 V VGSS Continuous 20 V G = Ga

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFR64N60Q3, IXFR66N50Q2, IXFR70N15, IXFR80N15Q, IXFR80N50P, IXFR80N50Q3, IXFR80N60P3, IXFR90N30, IRF630, IXFT12N100F, IXFT12N50F, IXFT12N90Q, IXFT13N100, IXFT140N10P, IXFT14N80P, IXFT150N17T2, IXFT15N100Q