IXFT12N100F - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFT12N100F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFT12N100F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXFT12N100F

 

IXFT12N100F Datasheet (PDF)

 4.1. Size:148K  ixys
 ixft12n100qhv.pdf pdf_icon

IXFT12N100F

Advance Technical Information High Voltage HiPerFETTM VDSS = 1000V IXFT12N100QHV Power MOSFET ID25 = 12A Q-CLASS RDS(on) 1.05 N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode TO-268S G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1000 V VGSS Continuous 20 V G = Ga

 4.2. Size:144K  ixys
 ixft12n100q ixfh12n100q ixft10n100q ixfh10n100q.pdf pdf_icon

IXFT12N100F

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT12N100Q 1000 V 12 A 1.05 Power MOSFETs IXFH/IXFT10N100Q 1000 V 10 A 1.20 Q Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS

 4.3. Size:556K  ixys
 ixft10n100 ixft12n100.pdf pdf_icon

IXFT12N100F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFR66N50Q2 , IXFR70N15 , IXFR80N15Q , IXFR80N50P , IXFR80N50Q3 , IXFR80N60P3 , IXFR90N30 , IXFT120N15P , IRF9540 , IXFT12N50F , IXFT12N90Q , IXFT13N100 , IXFT140N10P , IXFT14N80P , IXFT150N17T2 , IXFT15N100Q , IXFT15N100Q3 .

History: BL4N65A-A

 

 
Back to Top

 


 
.