IXFT12N100F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFT12N100F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm

Тип корпуса: TO268

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFT12N100F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT12N100F даташит

 4.1. Size:148K  ixys
 ixft12n100qhv.pdf pdf_icon

IXFT12N100F

Advance Technical Information High Voltage HiPerFETTM VDSS = 1000V IXFT12N100QHV Power MOSFET ID25 = 12A Q-CLASS RDS(on) 1.05 N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode TO-268S G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1000 V VGSS Continuous 20 V G = Ga

 4.2. Size:144K  ixys
 ixft12n100q ixfh12n100q ixft10n100q ixfh10n100q.pdf pdf_icon

IXFT12N100F

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT12N100Q 1000 V 12 A 1.05 Power MOSFETs IXFH/IXFT10N100Q 1000 V 10 A 1.20 Q Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS

 4.3. Size:556K  ixys
 ixft10n100 ixft12n100.pdf pdf_icon

IXFT12N100F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFR66N50Q2, IXFR70N15, IXFR80N15Q, IXFR80N50P, IXFR80N50Q3, IXFR80N60P3, IXFR90N30, IXFT120N15P, IRF9540, IXFT12N50F, IXFT12N90Q, IXFT13N100, IXFT140N10P, IXFT14N80P, IXFT150N17T2, IXFT15N100Q, IXFT15N100Q3