IXFT15N100Q3 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFT15N100Q3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFT15N100Q3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 690 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXFT15N100Q3

 

IXFT15N100Q3 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:116K  ixys
 ixfh14n100 ixft14n100 ixfx14n100 ixfh15n100 ixft15n100 ixfx15n100.pdf pdf_icon

IXFT15N100Q3

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT/IXFX14 N100 1000 V 14 A 0.75 W Power MOSFETs IXFH/IXFT/IXFX15 N100 1000 V 15 A 0.70 W trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Preliminary data sheet TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 1000 V (TAB) VGS Continuous

 7.1. Size:111K  ixys
 ixfh15n80q ixft15n80q.pdf pdf_icon

IXFT15N100Q3

IXFH 15N80Q VDSS = 800 V HiPerFETTM IXFT 15N80Q ID25 = 15 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.60 W Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 800 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB) ID25 TC = 25 C15 A IDM

 8.1. Size:182K  ixys
 ixfh150n17t2 ixft150n17t2.pdf pdf_icon

IXFT15N100Q3

Advance Technical Information TrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 175V IXFH150N17T2 ID25 = 150A Power MOSFET IXFT150N17T2 RDS(on) 12.0m trr 160ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 175 V G VDGR TJ = 25 C to 175 C, RG

 8.2. Size:180K  ixys
 ixfh150n20t ixft150n20t.pdf pdf_icon

IXFT15N100Q3

Advance Technical Information TrenchTM HiperFETTM VDSS = 200V IXFT150N20T Power MOSFETs ID25 = 150A IXFH150N20T RDS(on) 15m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-268 (IXFT) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 200 V TO-247 (IX

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFT12N100F , IXFT12N50F , IXFT12N90Q , IXFT13N100 , IXFT140N10P , IXFT14N80P , IXFT150N17T2 , IXFT15N100Q , AO3401 , IXFT16N120P , IXFT16N80P , IXFT16N90Q , IXFT18N90P , IXFT20N100P , IXFT20N80P , IXFT21N50 , IXFT21N50F .

 

 
Back to Top

 


 
.