IXFT30N40Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFT30N40Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Электрические характеристики

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 95 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO268

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFT30N40Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT30N40Q даташит

 7.1. Size:320K  ixys
 ixfh30n50p ixft30n50p ixfv30n50p.pdf pdf_icon

IXFT30N40Q

VDSS = 500 V IXFH 30N50P PolarHVTM HiPerFET ID25 = 30 A IXFT 30N50P Power MOSFET RDS(on) 200 m IXFV 30N50P N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns IXFV 30N50PS Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V D (TAB) VDGR TJ = 25 C to

 7.2. Size:110K  ixys
 ixfh30n50 ixfh32n50 ixft30n50 ixft32n50.pdf pdf_icon

IXFT30N40Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT 30N50 500 V 30 A 0.16 W Power MOSFETs IXFH/IXFT 32N50 500 V 32 A 0.15 W N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr 250 ns TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 500 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V D (TAB) ID25 TC

 7.3. Size:109K  ixys
 ixft30n50q.pdf pdf_icon

IXFT30N40Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs IXFH/IXFT 30N50Q 500 V 30 A 0.16 IXFH/IXFT 32N50Q 500 V 32 A 0.15 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS =

 7.4. Size:185K  ixys
 ixfh30n60x ixfq30n60x ixft30n60x.pdf pdf_icon

IXFT30N40Q

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFT30N60X Power MOSFET ID25 = 30A IXFQ30N60X RDS(on) 155m IXFH30N60X TO-268 (IXFT) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G Fast Intrinsic Diode S D (Tab) TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V G VDGR TJ = 25 C to 150

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFT21N50Q, IXFT24N50, IXFT24N50Q, IXFT24N80P, IXFT24N90P, IXFT26N50, IXFT26N60P, IXFT28N50F, AON7506, IXFT30N50P, IXFT30N50Q3, IXFT30N60P, IXFT320N10T2, IXFT340N075T2, IXFT36N50P, IXFT36N60P, IXFT400N075T2