IXFT400N075T2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXFT400N075T2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 400 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
Тип корпуса: TO268
Аналог (замена) для IXFT400N075T2
IXFT400N075T2 Datasheet (PDF)
ixfh400n075t2-ixft400n075t2.pdf

Advance Technical InformationTrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 75VIXFH400N075T2ID25 = 400APower MOSFETIXFT400N075T2 RDS(on) 2.3m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXFH)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsDD (Tab)SVDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 75 VVGSS Con
ixft40n85xhv ixfh40n85x.pdf

Advance Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFT40N85XHVPower MOSFET ID25 = 40AIXFH40N85X RDS(on) 145m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268HV (IXFT)Fast Intrinsic DiodeGSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 850 V D (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VTO-
ixft40n50q.pdf

Advanced Technical InformationIXFH 40N50Q VDSS = 500 VHiPerFETTMIXFT 40N50Q ID25 = 40 APower MOSFETsRDS(on) = 0.14 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500
ixfh40n30q ixft40n30q.pdf

IXFH 40N30QHiPerFETTMVDSS = 300 VIXFT 40N30QPower MOSFETs ID25 = 40 AQ-Class RDS(on) = 80 mWtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgPreliminary data sheetTO-268 (IXFT) Case StyleSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 300 VVGS Continuous 20 VG(TAB)VGSM Transie
Другие MOSFET... IXFT30N40Q , IXFT30N50P , IXFT30N50Q3 , IXFT30N60P , IXFT320N10T2 , IXFT340N075T2 , IXFT36N50P , IXFT36N60P , RFP50N06 , IXFT42N50P2 , IXFT44N50P , IXFT50N30Q3 , IXFT50N60P3 , IXFT52N50P2 , IXFT58N20 , IXFT60N20 , IXFT60N20F .
History: BF1208 | IPL65R420E6 | IPP120N06S4-H1 | IPL65R660E6 | P8008BDA | FQPF50N06
History: BF1208 | IPL65R420E6 | IPP120N06S4-H1 | IPL65R660E6 | P8008BDA | FQPF50N06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor