IXFT44N50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXFT44N50P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 650 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: TO268
Аналог (замена) для IXFT44N50P
IXFT44N50P Datasheet (PDF)
ixfh44n50p ixfk44n50p ixft44n50p.pdf

IXFH 44N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFK 44N50P ID25 = 44 APower MOSFETIXFT 44N50P RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 500
ixft44n50q3.pdf

Reduce The Size of Your High Power Design1000V Q3-Class HiPerFETTM Power MOSFET in SMPD Package TechnologyQ3-Class HiPerFETTM Features: Low Rdson & Qg Low Intrinsic Gate Resistance Fast Intrinsic Rectifier Excellent dV/dt Performance High Avalanche Energy Capabilities SMPD Package Features: High Speed Switching Capabilities Compact, Ultra-low Package Pr
ixft40n85xhv ixfh40n85x.pdf

Advance Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFT40N85XHVPower MOSFET ID25 = 40AIXFH40N85X RDS(on) 145m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268HV (IXFT)Fast Intrinsic DiodeGSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 850 V D (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VTO-
ixfh4n100q ixft4n100q.pdf

IXFH 4N100Q VDSS = 1000 VHiPerFETTMIXFT 4N100Q ID25 = 4 APower MOSFETsRDS(on) = 3.0 WQ-Classtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 1000 VVGS Continuous 20 VG(TAB)DVGSM Transient
Другие MOSFET... IXFT30N50Q3 , IXFT30N60P , IXFT320N10T2 , IXFT340N075T2 , IXFT36N50P , IXFT36N60P , IXFT400N075T2 , IXFT42N50P2 , STP80NF70 , IXFT50N30Q3 , IXFT50N60P3 , IXFT52N50P2 , IXFT58N20 , IXFT60N20 , IXFT60N20F , IXFT60N50P3 , IXFT66N20Q .
History: IXFV110N10PS | PSMN040-100MSE | IXFQ22N60P3 | AOL1432 | MDU1401SVRH | IXTY2N60P | IXKC15N60C5
History: IXFV110N10PS | PSMN040-100MSE | IXFQ22N60P3 | AOL1432 | MDU1401SVRH | IXTY2N60P | IXKC15N60C5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor