IXFT68N20 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFT68N20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFT68N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXFT68N20

 

IXFT68N20 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:71K  ixys
 ixfh60n25q ixfk60n25q ixft60n25q.pdf pdf_icon

IXFT68N20

Advanced Technical Information IXFH 60N25Q HiPerFETTM VDSS = 250 V IXFK 60N25Q Power MOSFETs ID25 = 60 A IXFT 60N25Q Q-Class RDS(on) = 47 mW trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Low Gate Charge and Capacitances Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 250

 9.2. Size:116K  ixys
 ixfh6n100q ixft6n100q.pdf pdf_icon

IXFT68N20

VDSS = 1000 V IXFH 6N100Q HiPerFETTM ID25 = 6 A IXFT 6N100Q Power MOSFETs RDS(on) = 1.9 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 20 V VG

 9.3. Size:176K  ixys
 ixfh69n30p ixft69n30p.pdf pdf_icon

IXFT68N20

IXFH 69N30P VDSS = 300 V PolarHTTM HiPerFET IXFT 69N30P ID25 = 69 A Power MOSFET RDS(on) 49 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGS Continuou

Другие MOSFET... IXFT50N30Q3 , IXFT50N60P3 , IXFT52N50P2 , IXFT58N20 , IXFT60N20 , IXFT60N20F , IXFT60N50P3 , IXFT66N20Q , STF13NM60N , IXFT69N30P , IXFT6N100F , IXFT70N15 , IXFT70N20Q3 , IXFT74N20 , IXFT7N90Q , IXFT80N08 , IXFT80N085 .

 

 
Back to Top

 


 
.