Справочник MOSFET. IXFT88N30P

 

IXFT88N30P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFT88N30P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 180 nC
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXFT88N30P

 

 

IXFT88N30P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  ixys
 ixft88n30p ixfh88n30p ixfk88n30p.pdf

IXFT88N30P IXFT88N30P

PolarTM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFT88N30PID25 = 88APower MOSFETIXFH88N30P RDS(on) 40m IXFK88N30Ptrr 200nsTO-268 (IXFT)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic DiodeSTabSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247(IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 ..2. Size:146K  ixys
 ixfh88n30p ixft88n30p ixfk88n30p.pdf

IXFT88N30P IXFT88N30P

PolarTM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFT88N30PID25 = 88APower MOSFETIXFH88N30P RDS(on) 40m IXFK88N30Ptrr 200nsTO-268 (IXFT)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic DiodeSTabSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247(IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 9.1. Size:52K  ixys
 ixfh80n10q ixft80n10q.pdf

IXFT88N30P IXFT88N30P

IXFH 80N10Q VDSS = 100 VHiPerFETTMIXFT 80N10Q ID25 = 80 APower MOSFETs RDS(on) = 15 mWQ-Classtrr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dV/dtLow Gate Charge and CapacitancesPreliminary dataTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 100 VVGS Continuous 20 VVGSM Trans

 9.2. Size:176K  ixys
 ixfh86n30t ixft86n30t.pdf

IXFT88N30P IXFT88N30P

Advance Technical InformationTrenchTM HiperFETTM VDSS = 300VIXFH86N30TPower MOSFET ID25 = 86AIXFT86N30T RDS(on) 43m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 300 V DD (Tab)SVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300 VVGSS Continu

 9.3. Size:70K  ixys
 ixfh80n20q ixfk80n20q ixft80n20q.pdf

IXFT88N30P IXFT88N30P

IXFH 80N20QHiPerFETTMVDSS = 200 VIXFK 80N20QPower MOSFETs ID25 = 80 AIXFT 80N20QQ-Class RDS(on) = 28 mWtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transi

 9.4. Size:54K  ixys
 ixfh80n085 ixft80n085.pdf

IXFT88N30P IXFT88N30P

IXFH 80N085 VDSS = 85 VHiPerFETTMIXFT 80N085 ID25 = 80 APower MOSFETsRDS(on) = 9 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche Rated, High dv/dtPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C85 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 85 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V(TAB)ID25 TC = 25C80 AIL

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top