Справочник MOSFET. IXFT88N30P

 

IXFT88N30P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFT88N30P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO268
 

 Аналог (замена) для IXFT88N30P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT88N30P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  ixys
 ixft88n30p ixfh88n30p ixfk88n30p.pdf pdf_icon

IXFT88N30P

PolarTM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFT88N30PID25 = 88APower MOSFETIXFH88N30P RDS(on) 40m IXFK88N30Ptrr 200nsTO-268 (IXFT)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic DiodeSTabSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247(IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 ..2. Size:146K  ixys
 ixfh88n30p ixft88n30p ixfk88n30p.pdf pdf_icon

IXFT88N30P

PolarTM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFT88N30PID25 = 88APower MOSFETIXFH88N30P RDS(on) 40m IXFK88N30Ptrr 200nsTO-268 (IXFT)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic DiodeSTabSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247(IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 9.1. Size:52K  ixys
 ixfh80n10q ixft80n10q.pdf pdf_icon

IXFT88N30P

IXFH 80N10Q VDSS = 100 VHiPerFETTMIXFT 80N10Q ID25 = 80 APower MOSFETs RDS(on) = 15 mWQ-Classtrr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dV/dtLow Gate Charge and CapacitancesPreliminary dataTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 100 VVGS Continuous 20 VVGSM Trans

 9.2. Size:176K  ixys
 ixfh86n30t ixft86n30t.pdf pdf_icon

IXFT88N30P

Advance Technical InformationTrenchTM HiperFETTM VDSS = 300VIXFH86N30TPower MOSFET ID25 = 86AIXFT86N30T RDS(on) 43m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 300 V DD (Tab)SVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300 VVGSS Continu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFT70N20Q3 , IXFT74N20 , IXFT7N90Q , IXFT80N08 , IXFT80N085 , IXFT80N10 , IXFT80N15Q , IXFT86N30T , STP65NF06 , IXFT96N20P , IXFV10N100P , IXFV10N100PS , IXFV110N10P , IXFV110N10PS , IXFV110N25T , IXFV110N25TS , IXFV12N100P .

History: STD55N4F5 | BUK7Y7R2-60E | 2SK484 | HSU0026 | AP40T10GH | UPA1916 | 2SK4075B

 

 
Back to Top

 


 
.