Справочник MOSFET. IXFT96N20P

 

IXFT96N20P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFT96N20P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO268
 

 Аналог (замена) для IXFT96N20P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT96N20P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  ixys
ixfh96n20p ixft96n20p ixfv96n20p.pdfpdf_icon

IXFT96N20P

IXFH 96N20PPolarHTTM HiPerFETVDSS = 200 VIXFT 96N20PID25 = 96 APower MOSFETIXFV 96N20P RDS(on) 24 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 200 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V

 9.1. Size:89K  ixys
ixft9n80q.pdfpdf_icon

IXFT96N20P

IXFH 9N80Q VDSS = 800 VHiPerFETTMIXFT 9N80Q ID25 = 9 APower MOSFETsRDS(on) = 1.1 Q-Class N-Channel Enhancement Mode trr 250 nsAvalanche Rated Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS Continuous 20 VVGSM Transi

 9.2. Size:174K  ixys
ixfh94n30t ixft94n30t.pdfpdf_icon

IXFT96N20P

Preliminary Technical InformationTrenchTM HiperFETTM VDSS = 300VIXFT94N30TPower MOSFETs ID25 = 94AIXFH94N30T RDS(on) 36m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268 (IXFT)Fast Intrinsic RectifierGSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300 VTO-247 (I

 9.3. Size:145K  ixys
ixfh94n30p3 ixfq94n30p3 ixft94n30p3.pdfpdf_icon

IXFT96N20P

Advance Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 300VIXFT94N30P3ID25 = 94APower MOSFETsIXFQ94N30P3 RDS(on) 36m IXFH94N30P3N-Channel Enhancement ModeTO-268 (IXFT)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)TO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGVDGR TJ = 25C to 150C

Другие MOSFET... IXFT74N20 , IXFT7N90Q , IXFT80N08 , IXFT80N085 , IXFT80N10 , IXFT80N15Q , IXFT86N30T , IXFT88N30P , IRF1405 , IXFV10N100P , IXFV10N100PS , IXFV110N10P , IXFV110N10PS , IXFV110N25T , IXFV110N25TS , IXFV12N100P , IXFV12N100PS .

History: ME2602-G | PHP79NQ08LT | SIHF28N60EF | AO4940 | LSD65R180GT | RSS050P03TB | IPA093N06N3G

 

 
Back to Top

 


 
.