IXFV96N15P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFV96N15P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: PLUS220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFV96N15P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFV96N15P даташит

 ..1. Size:318K  ixys
 ixfh96n15p ixfv96n15p.pdf pdf_icon

IXFV96N15P

IXFH 96N15P VDSS = 150 V PolarHTTM HiPerFET IXFV 96N15P ID25 = 96 A Power MOSFET IXFV 96N15PS RDS(on) 24 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D (TAB) S VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V VDGR TJ = 25 C to 175

 7.1. Size:225K  ixys
 ixfh96n20p ixft96n20p ixfv96n20p.pdf pdf_icon

IXFV96N15P

IXFH 96N20P PolarHTTM HiPerFET VDSS = 200 V IXFT 96N20P ID25 = 96 A Power MOSFET IXFV 96N20P RDS(on) 24 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V

Другие IGBT... IXFV30N60P, IXFV30N60PS, IXFV36N50P, IXFV36N50PS, IXFV52N30P, IXFV52N30PS, IXFV74N20P, IXFV74N20PS, 2SK3878, IXFV96N15PS, IXFV96N20P, IXFX120N25, IXFX120N25P, IXFX120N30T, IXFX140N25T, IXFX140N30P, IXFX160N30T