IXFV96N20P - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFV96N20P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFV96N20P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: PLUS220

 Аналог (замена) для IXFV96N20P

 

IXFV96N20P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  ixys
 ixfh96n20p ixft96n20p ixfv96n20p.pdf pdf_icon

IXFV96N20P

IXFH 96N20P PolarHTTM HiPerFET VDSS = 200 V IXFT 96N20P ID25 = 96 A Power MOSFET IXFV 96N20P RDS(on) 24 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V

 7.1. Size:318K  ixys
 ixfh96n15p ixfv96n15p.pdf pdf_icon

IXFV96N20P

IXFH 96N15P VDSS = 150 V PolarHTTM HiPerFET IXFV 96N15P ID25 = 96 A Power MOSFET IXFV 96N15PS RDS(on) 24 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D (TAB) S VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V VDGR TJ = 25 C to 175

Другие MOSFET... IXFV36N50P , IXFV36N50PS , IXFV52N30P , IXFV52N30PS , IXFV74N20P , IXFV74N20PS , IXFV96N15P , IXFV96N15PS , 2N7002 , IXFX120N25 , IXFX120N25P , IXFX120N30T , IXFX140N25T , IXFX140N30P , IXFX160N30T , IXFX170N20P , IXFX170N20T .

 

 
Back to Top

 


 
.