Справочник MOSFET. IXFV96N20P

 

IXFV96N20P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFV96N20P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: PLUS220
 

 Аналог (замена) для IXFV96N20P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFV96N20P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  ixys
 ixfh96n20p ixft96n20p ixfv96n20p.pdf pdf_icon

IXFV96N20P

IXFH 96N20PPolarHTTM HiPerFETVDSS = 200 VIXFT 96N20PID25 = 96 APower MOSFETIXFV 96N20P RDS(on) 24 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 200 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V

 7.1. Size:318K  ixys
 ixfh96n15p ixfv96n15p.pdf pdf_icon

IXFV96N20P

IXFH 96N15P VDSS = 150 VPolarHTTM HiPerFETIXFV 96N15P ID25 = 96 APower MOSFET IXFV 96N15PS RDS(on) 24 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Energy RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGD(TAB)SVDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VVDGR TJ = 25 C to 175

Другие MOSFET... IXFV36N50P , IXFV36N50PS , IXFV52N30P , IXFV52N30PS , IXFV74N20P , IXFV74N20PS , IXFV96N15P , IXFV96N15PS , K4145 , IXFX120N25 , IXFX120N25P , IXFX120N30T , IXFX140N25T , IXFX140N30P , IXFX160N30T , IXFX170N20P , IXFX170N20T .

History: AUIRFP2907 | HGP115N15S | STF10N105K5 | IRFSZ22 | AONR62921 | AP20N15AGH | NCEAP035N85GU

 

 
Back to Top

 


 
.