Справочник MOSFET. IXFX180N25T

 

IXFX180N25T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFX180N25T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1390 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0129 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXFX180N25T

 

 

IXFX180N25T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  ixys
 ixfk180n25t ixfx180n25t.pdf

IXFX180N25T IXFX180N25T

Advance Technical InformationGigaMOSTM VDSS = 250VIXFK180N25TID25 = 180APower MOSFETIXFX180N25T RDS(on) 12.9m trr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264 (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 250 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 6.1. Size:46K  ixys
 ixfk180n085 ixfx180n085.pdf

IXFX180N25T IXFX180N25T

Advanced Technical InformationHiPerFETTM IXFK 180N085 VDSS = 85 VIXFX 180N085 ID25 = 180 APower MOSFETsRDS(on) = 7 mWSingle MOSFET Dietrr 250 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C85 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 85 VD (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C (MOSFET chip capability) 1

 6.2. Size:80K  ixys
 ixfk180n07 ixfx180n07.pdf

IXFX180N25T IXFX180N25T

IXFK 180N07 VDSS = 70 VHiPerFETTMIXFX 180N07 ID25 = 180 APower MOSFETsRDS(on) = 6 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Preliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TMVDSS TJ = 25C to 150C70 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 70 VD (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 2

 6.3. Size:178K  ixys
 ixfk180n15p ixfx180n15p.pdf

IXFX180N25T IXFX180N25T

VDSS = 150 VIXFK 180N15PPolarTM HiPerFETID25 = 180 AIXFX 180N15PPower MOSFET RDS(on) 11 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 VVDS Continuous 20 VTO

 6.4. Size:109K  ixys
 ixfk180n10 ixfx180n10.pdf

IXFX180N25T IXFX180N25T

HiPerFETTM IXFK 180N10 VDSS = 100 VIXFX 180N10 ID25 = 180 APower MOSFETsRDS(on) = 8 mWSingle MOSFET Dietrr 250 nsPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 100 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 VDID25 TC = 25C (MOSFET chip capability) 180 A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top