IXFX320N17T2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFX320N17T2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1670 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 170 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: PLUS247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFX320N17T2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX320N17T2 даташит

 8.1. Size:161K  ixys
 ixfk32n80p ixfx32n80p.pdf pdf_icon

IXFX320N17T2

IXFK 32N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET IXFX 32N80P ID25 = 32 A Power MOSFET RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V VGSS Contin

 8.2. Size:573K  ixys
 ixfk32n50q ixfx32n50q.pdf pdf_icon

IXFX320N17T2

VDSS ID25 RDS(on) IXFK 32N50Q HiPerFETTM IXFX 32N50Q 500 V 32 A 0.16 Power MOSFETs 500 V 32 A 0.16 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M

 8.3. Size:124K  ixys
 ixfk32n90p ixfx32n90p.pdf pdf_icon

IXFX320N17T2

Advance Technical Information PolarTM HiPerFETTM VDSS = 900V IXFK32N90P Power MOSFETs ID25 = 32A IXFX32N90P RDS(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFX250N10P, IXFX25N90, IXFX26N100P, IXFX26N120P, IXFX26N60Q, IXFX27N80Q, IXFX30N100Q2, IXFX30N110P, 2SK3568, IXFX32N100P, IXFX32N100Q3, IXFX32N50, IXFX32N80P, IXFX32N80Q3, IXFX360N10T, IXFX360N15T2, IXFX38N80Q2