IXFX44N80P datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IXFX44N80P 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1200 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: PLUS247
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IXFX44N80P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IXFX44N80P даташит
ixfk44n80p ixfx44n80p.pdf
PolarTM IXFK44N80P VDSS = 800V HiperFETTM ID25 = 44A IXFX44N80P Power MOSFET RDS(on) 190m N-Channel Enhancement Mode TO-264 (IXFK) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G D S Symbol Test Conditions Maximum Ratings Tab VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 800 V PLUS247 (IXFX) VGSS Continuous 30
ixfx44n55q.pdf
Advance Technical Information IXFK 44N55Q VDSS = 550 V HiPerFETTM IXFX 44N55Q ID25 = 44 A Power MOSFETs RDS(on) = 120 m Q-CLASS trr 250 ns Single MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg PLUS 247TM (IXFX) High dV/dt, Low t rr Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 550
ixfx44n60 ixfk44n60.pdf
HiPerFETTM IXFX 44N60 VDSS = 600 V IXFK 44N60 ID25 = 44 A Power MOSFETs RDS(on) = 130 mW Single MOSFET Die trr 250 ns PLUS 247TM (IXFX) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 600 V (TAB) G VGS Continuous 20 V D VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C44 A TO-264 AA (IXFK) IDM TC = 25 C, pulse width limite
ixfx44n50f ixfk44n50f.pdf
HiPerRFTM VDSS = 500V IXFK44N50F ID25 = 44A Power MOSFETs IXFX44N50F RDS(on) 120m F-Class MegaHertz Switching trr 250ns Single MOSFET Die TO-264 (IXFK) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr G D Tab S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C
Другие IGBT... IXFX32N80Q3, IXFX360N10T, IXFX360N15T2, IXFX38N80Q2, IXFX40N90P, IXFX420N10T, IXFX44N50F, IXFX44N50Q, 8N60, IXFX44N80Q3, IXFX48N55, IXFX48N60P, IXFX48N60Q3, IXFX520N075T2, IXFX52N60Q2, IXFX55N50F, IXFX60N55Q2
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: IXFX420N10T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MSH100N045SA | MSD60P16 | MSD40P45 | MSB100N023 | MS60P03 | MS40P05AU | MS40P05 | MS40N05 | MS34P07 | MS34P01 | MS23P03 | MS23N06A | BPMS04N003M | BPM0405CG | BPM0306CG | BP0405SCG
Popular searches
2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42





