Справочник MOSFET. IXFX44N80P

 

IXFX44N80P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFX44N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 198 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXFX44N80P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX44N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  ixys
 ixfk44n80p ixfx44n80p.pdf pdf_icon

IXFX44N80P

PolarTMIXFK44N80P VDSS = 800VHiperFETTMID25 = 44AIXFX44N80PPower MOSFET RDS(on) 190m N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXFK)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTabVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 800 VPLUS247 (IXFX)VGSS Continuous 30

 7.1. Size:100K  ixys
 ixfx44n55q.pdf pdf_icon

IXFX44N80P

Advance Technical InformationIXFK 44N55QVDSS = 550 VHiPerFETTMIXFX 44N55QID25 = 44 APower MOSFETsRDS(on) = 120 mQ-CLASS trr 250 ns Single MOSFET DieN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low QgPLUS 247TM (IXFX)High dV/dt, Low trrSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)GDVDSS TJ = 25C to 150C 550

 7.2. Size:104K  ixys
 ixfx44n60 ixfk44n60.pdf pdf_icon

IXFX44N80P

HiPerFETTM IXFX 44N60 VDSS = 600 VIXFK 44N60 ID25 = 44 APower MOSFETsRDS(on) = 130 mWSingle MOSFET Dietrr 250 nsPLUS 247TM (IXFX)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 V (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C44 ATO-264 AA (IXFK)IDM TC = 25C, pulse width limite

 7.3. Size:126K  ixys
 ixfx44n50f ixfk44n50f.pdf pdf_icon

IXFX44N80P

HiPerRFTM VDSS = 500VIXFK44N50FID25 = 44APower MOSFETsIXFX44N50F RDS(on) 120m F-Class: MegaHertz Switchingtrr 250nsSingle MOSFET DieTO-264 (IXFK)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RgHigh dV/dt, Low trrGDTabSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFX32N80Q3 , IXFX360N10T , IXFX360N15T2 , IXFX38N80Q2 , IXFX40N90P , IXFX420N10T , IXFX44N50F , IXFX44N50Q , K2611 , IXFX44N80Q3 , IXFX48N55 , IXFX48N60P , IXFX48N60Q3 , IXFX520N075T2 , IXFX52N60Q2 , IXFX55N50F , IXFX60N55Q2 .

 

 
Back to Top

 


 
.