Справочник MOSFET. IXFX74N50P2

 

IXFX74N50P2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFX74N50P2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1400 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXFX74N50P2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX74N50P2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  ixys
 ixfx74n50p2 ixfk74n50p2.pdf pdf_icon

IXFX74N50P2

Advance Technical InformationPolarP2TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFK74N50P2Power MOSFET ID25 = 74AIXFX74N50P2 RDS(on) 77m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264 (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 150C 500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS

 9.1. Size:133K  ixys
 ixfk78n50p3 ixfx78n50p3.pdf pdf_icon

IXFX74N50P2

Preliminary Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFK78N50P3Power MOSFETs ID25 = 78AIXFX78N50P3 RDS(on) 68m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeGDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 500 V TabVDGR TJ = 25C

Другие MOSFET... IXFX62N25 , IXFX64N50P , IXFX64N50Q3 , IXFX64N60P , IXFX64N60P3 , IXFX64N60Q3 , IXFX66N50Q2 , IXFX73N30Q , MMD60R360PRH , IXFX78N50P3 , IXFX80N50P , IXFX80N50Q3 , IXFX80N60P3 , IXFX88N20Q , IXFX94N50P2 , IXFX98N50P3 , IXFZ140N25T .

History: 4N60KG-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.