Справочник MOSFET. IXFX88N20Q

 

IXFX88N20Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFX88N20Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXFX88N20Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX88N20Q Datasheet (PDF)

 9.1. Size:230K  ixys
 ixfk80n50p ixfx80n50p.pdf pdf_icon

IXFX88N20Q

IXFK 80N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 80N50P ID25 = 80 APower MOSFET RDS(on) 65 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSM Transient

Другие MOSFET... IXFX64N60Q3 , IXFX66N50Q2 , IXFX73N30Q , IXFX74N50P2 , IXFX78N50P3 , IXFX80N50P , IXFX80N50Q3 , IXFX80N60P3 , 5N50 , IXFX94N50P2 , IXFX98N50P3 , IXFZ140N25T , IXFZ520N075T2 , IXKC13N80C , IXKC15N60C5 , IXKC19N60C5 , IXKC20N60C .

History: 4N60KG-TF3T-T

 

 
Back to Top

 


 
.