IXKC19N60C5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXKC19N60C5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 132 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 430 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS220

Аналог (замена) для IXKC19N60C5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKC19N60C5 даташит

No data!

Другие IGBT... IXFX80N60P3, IXFX88N20Q, IXFX94N50P2, IXFX98N50P3, IXFZ140N25T, IXFZ520N075T2, IXKC13N80C, IXKC15N60C5, 20N60, IXKC20N60C, IXKC23N60C5, IXKC25N80C, IXKC40N60C, IXKF40N60SCD1, IXKH20N60C5, IXKH24N60C5, IXKH30N60C5