IXKC19N60C5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: IXKC19N60C5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 132 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 53 nC
   trⓘ - Время нарастания: 430 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам