IXKH30N60C5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXKH30N60C5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 430 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXKH30N60C5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKH30N60C5 даташит

No data!

Другие IGBT... IXKC19N60C5, IXKC20N60C, IXKC23N60C5, IXKC25N80C, IXKC40N60C, IXKF40N60SCD1, IXKH20N60C5, IXKH24N60C5, IRLZ44N, IXKH35N60C5, IXKH47N60C, IXKH70N60C5, IXKK85N60C, IXKN40N60C, IXKN45N80C, IXKN75N60C, IXKP10N60C5