IXKN75N60C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXKN75N60C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 580 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: SOT227B

Аналог (замена) для IXKN75N60C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKN75N60C даташит

No data!

Другие IGBT... IXKH24N60C5, IXKH30N60C5, IXKH35N60C5, IXKH47N60C, IXKH70N60C5, IXKK85N60C, IXKN40N60C, IXKN45N80C, 10N60, IXKP10N60C5, IXKP10N60C5M, IXKP13N60C5, IXKP13N60C5M, IXKP20N60C5, IXKP20N60C5M, IXKP24N60C5, IXKP24N60C5M