Справочник MOSFET. IXKN75N60C

 

IXKN75N60C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXKN75N60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 580 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B
 

 Аналог (замена) для IXKN75N60C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKN75N60C Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие MOSFET... IXKH24N60C5 , IXKH30N60C5 , IXKH35N60C5 , IXKH47N60C , IXKH70N60C5 , IXKK85N60C , IXKN40N60C , IXKN45N80C , IRFB4227 , IXKP10N60C5 , IXKP10N60C5M , IXKP13N60C5 , IXKP13N60C5M , IXKP20N60C5 , IXKP20N60C5M , IXKP24N60C5 , IXKP24N60C5M .

 

 
Back to Top

 


 
.