IXKR25N80C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXKR25N80C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS247

Аналог (замена) для IXKR25N80C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKR25N80C даташит

 ..1. Size:97K  ixys
 ixkr25n80c.pdf pdf_icon

IXKR25N80C

Advanced Technical Information IXKR 25N80C ID25 = 25 A CoolMOS 1) Power MOSFET VDSS = 800 V in ISOPLUS247 Package RDS(on) = 125 mW N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET D ISOPLUS 247 Package with Electrically Isolated Base G G E153432 D S S G = Gate, D = Drain, S = Source Features MOSFET ISOPLUS247 package with DCB Base Symbol Conditions M

Другие IGBT... IXKP10N60C5, IXKP10N60C5M, IXKP13N60C5, IXKP13N60C5M, IXKP20N60C5, IXKP20N60C5M, IXKP24N60C5, IXKP24N60C5M, IRF9540, IXKR40N60C, IXKR47N60C5, IXTA05N100, IXTA05N100P, IXTA06N120P, IXTA08N100D2, IXTA08N100P, IXTA08N120P