Справочник MOSFET. IXKR25N80C

 

IXKR25N80C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXKR25N80C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247
 

 Аналог (замена) для IXKR25N80C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKR25N80C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  ixys
 ixkr25n80c.pdf pdf_icon

IXKR25N80C

Advanced Technical InformationIXKR 25N80C ID25 = 25 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 800 Vin ISOPLUS247 PackageRDS(on) = 125 mWN-Channel Enhancement ModeLow RDSon, High VDSS MOSFETDISOPLUS 247Package with Electrically Isolated BaseGGE153432DSSG = Gate, D = Drain, S = SourceFeaturesMOSFET ISOPLUS247 package with DCB BaseSymbol Conditions M

Другие MOSFET... IXKP10N60C5 , IXKP10N60C5M , IXKP13N60C5 , IXKP13N60C5M , IXKP20N60C5 , IXKP20N60C5M , IXKP24N60C5 , IXKP24N60C5M , K3569 , IXKR40N60C , IXKR47N60C5 , IXTA05N100 , IXTA05N100P , IXTA06N120P , IXTA08N100D2 , IXTA08N100P , IXTA08N120P .

History: IPB80N04S2-H4

 

 
Back to Top

 


 
.