Справочник MOSFET. IXKR25N80C

 

IXKR25N80C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXKR25N80C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 180 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXKR25N80C

 

 

IXKR25N80C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  ixys
 ixkr25n80c.pdf

IXKR25N80C IXKR25N80C

Advanced Technical InformationIXKR 25N80C ID25 = 25 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 800 Vin ISOPLUS247 PackageRDS(on) = 125 mWN-Channel Enhancement ModeLow RDSon, High VDSS MOSFETDISOPLUS 247Package with Electrically Isolated BaseGGE153432DSSG = Gate, D = Drain, S = SourceFeaturesMOSFET ISOPLUS247 package with DCB BaseSymbol Conditions M

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top