IXKR40N60C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXKR40N60C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS247

Аналог (замена) для IXKR40N60C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKR40N60C даташит

No data!

Другие IGBT... IXKP10N60C5M, IXKP13N60C5, IXKP13N60C5M, IXKP20N60C5, IXKP20N60C5M, IXKP24N60C5, IXKP24N60C5M, IXKR25N80C, AON7408, IXKR47N60C5, IXTA05N100, IXTA05N100P, IXTA06N120P, IXTA08N100D2, IXTA08N100P, IXTA08N120P, IXTA08N50D2