IXTA05N100P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTA05N100P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 750 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 30 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IXTA05N100P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA05N100P даташит

 4.1. Size:185K  ixys
 ixta05n100hv.pdf pdf_icon

IXTA05N100P

VDSS = 1000V IXTA05N100HV High Voltage ID25 = 750mA IXTA05N100 Power MOSFET RDS(on) 17 IXTP05N100 N-Channel Enhancement Mode TO-263HV (IXTA) Avalanche Rated G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 AA (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1000 V VGSS Continuous 30 V G S

 9.1. Size:177K  ixys
 ixty08n100d2-ixta08n100d2-ixtp08n100d2.pdf pdf_icon

IXTA05N100P

Preliminary Technical Information Depletion Mode VDSX = 1000V IXTY08N100D2 MOSFET ID(on) > 800mA IXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2 N-Channel TO-252 (IXTY) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 AA (IXTA) VDSX TJ = 25 C to 150 C 1000 V VGSX Continuous 20 V VGSM Transient 30 V G S PD TC = 25 C60 W D (Tab) TJ -

 9.2. Size:270K  ixys
 ixty08n100d2 ixta08n100d2 ixtp08n100d2.pdf pdf_icon

IXTA05N100P

Depletion Mode VDSX = 1000V IXTY08N100D2 MOSFET ID(on) > 800mA IXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2 N-Channel D TO-252 (IXTY) G S G D (Tab) S TO-263 AA (IXTA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSX TJ = 25 C to 150 C 1000 V S D (Tab) VGSX Continuous 20 V VGSM Transient 30 V TO-220AB (IXTP) PD TC = 25 C60 W TJ

 9.3. Size:186K  ixys
 ixta08n100d2hv.pdf pdf_icon

IXTA05N100P

Advance Technical Information High Voltage VDSX = 1000V IXTA08N100D2HV Depletion Mode ID(on) > 800mA MOSFET RDS(on) 21 N-Channel TO-263HV G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSX TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGX TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1000 V G = Gate D = Drain VGSX Continuous 20 V S = Source Tab = Drain

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXKP20N60C5, IXKP20N60C5M, IXKP24N60C5, IXKP24N60C5M, IXKR25N80C, IXKR40N60C, IXKR47N60C5, IXTA05N100, 2N7002, IXTA06N120P, IXTA08N100D2, IXTA08N100P, IXTA08N120P, IXTA08N50D2, IXTA100N04T2, IXTA102N15T, IXTA10N60P