Справочник MOSFET. IXTA06N120P

 

IXTA06N120P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA06N120P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 900 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 34 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXTA06N120P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA06N120P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:177K  ixys
 ixty08n100d2-ixta08n100d2-ixtp08n100d2.pdf pdf_icon

IXTA06N120P

Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 1000VIXTY08N100D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2N-ChannelTO-252 (IXTY)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 AA (IXTA)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGSPD TC = 25C60 WD (Tab)TJ -

 9.2. Size:270K  ixys
 ixty08n100d2 ixta08n100d2 ixtp08n100d2.pdf pdf_icon

IXTA06N120P

Depletion Mode VDSX = 1000VIXTY08N100D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2N-ChannelDTO-252 (IXTY)GSGD (Tab)STO-263 AA (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSX TJ = 25C to 150C 1000 VSD (Tab)VGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VTO-220AB (IXTP)PD TC = 25C60 WTJ

 9.3. Size:186K  ixys
 ixta08n100d2hv.pdf pdf_icon

IXTA06N120P

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSX = 1000VIXTA08N100D2HVDepletion Mode ID(on) > 800mAMOSFET RDS(on) 21 N-ChannelTO-263HVGSSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVDGX TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VG = Gate D = DrainVGSX Continuous 20 VS = Source Tab = Drain

 9.4. Size:201K  ixys
 ixta02n450hv ixtt02n450hv.pdf pdf_icon

IXTA06N120P

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTA02N450HVPower MOSFETsID25 = 200mAIXTT02N450HV RDS(on) 750 N-Channel Enhancement ModeTO-263 (IXTA)GS D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 4500 VTO-268 (IXTT)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VVGSS Continuous 20 VGVGSM Trans

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXKP20N60C5M , IXKP24N60C5 , IXKP24N60C5M , IXKR25N80C , IXKR40N60C , IXKR47N60C5 , IXTA05N100 , IXTA05N100P , IRF1010E , IXTA08N100D2 , IXTA08N100P , IXTA08N120P , IXTA08N50D2 , IXTA100N04T2 , IXTA102N15T , IXTA10N60P , IXTA10P15T .

History: ZXM66P02N8TC

 

 
Back to Top

 


 
.