Справочник MOSFET. IXTA160N04T2

 

IXTA160N04T2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTA160N04T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 79 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IXTA160N04T2

 

 

IXTA160N04T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  ixys
 ixta160n04t2 ixtp160n04t2.pdf

IXTA160N04T2 IXTA160N04T2

Preliminary Technical InformationIXTA160N04T2 VDSS = 40VTrenchT2TMIXTP160N04T2 ID25 = 160APower MOSFET RDS(on) 5m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C40 VSVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 40 V(TAB)VGSM Transient 20 VTO-220 (IXTP)ID25 TC

 5.1. Size:197K  ixys
 ixta160n075t7.pdf

IXTA160N04T2 IXTA160N04T2

Preliminary Technical InformationVDSS = 75 VIXTA160N075T7TrenchMVTMID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 6.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C75 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

 5.2. Size:174K  ixys
 ixta160n075t ixtp160n075t.pdf

IXTA160N04T2 IXTA160N04T2

Preliminary Technical InformationIXTA160N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP160N075T ID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 6.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 V S D (TAB)ID25 TC = 25C 16

 6.1. Size:164K  ixys
 ixta160n10t7.pdf

IXTA160N04T2 IXTA160N04T2

Preliminary Technical InformationVDSS = 100 VIXTA160N10T7TrenchMVTMID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 V1ID25 TC = 25C 160 A

 6.2. Size:174K  ixys
 ixta160n10t ixtp160n10t.pdf

IXTA160N04T2 IXTA160N04T2

Preliminary Technical InformationIXTA160N10T VDSS = 100 VTrenchMVTMIXTP160N10T ID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VTO-220 (IXTP)VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 

Back to Top