Справочник MOSFET. IXTA160N075T7

 

IXTA160N075T7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA160N075T7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXTA160N075T7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA160N075T7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  ixys
 ixta160n075t7.pdf pdf_icon

IXTA160N075T7

Preliminary Technical InformationVDSS = 75 VIXTA160N075T7TrenchMVTMID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 6.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C75 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

 2.1. Size:174K  ixys
 ixta160n075t ixtp160n075t.pdf pdf_icon

IXTA160N075T7

Preliminary Technical InformationIXTA160N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP160N075T ID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 6.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 V S D (TAB)ID25 TC = 25C 16

 5.1. Size:204K  ixys
 ixta160n04t2 ixtp160n04t2.pdf pdf_icon

IXTA160N075T7

Preliminary Technical InformationIXTA160N04T2 VDSS = 40VTrenchT2TMIXTP160N04T2 ID25 = 160APower MOSFET RDS(on) 5m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C40 VSVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 40 V(TAB)VGSM Transient 20 VTO-220 (IXTP)ID25 TC

 6.1. Size:164K  ixys
 ixta160n10t7.pdf pdf_icon

IXTA160N075T7

Preliminary Technical InformationVDSS = 100 VIXTA160N10T7TrenchMVTMID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 V1ID25 TC = 25C 160 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTA140N055T2 , IXTA140P05T , IXTA14N60P , IXTA152N085T , IXTA152N085T7 , IXTA15P15T , IXTA160N04T2 , IXTA160N075T , 5N65 , IXTA160N085T , IXTA160N10T , IXTA160N10T7 , IXTA16N50P , IXTA170N075T2 , IXTA180N085T , IXTA180N085T7 , IXTA180N10T .

History: ZXMN10A07FTC | SI3879DV

 

 
Back to Top

 


 
.