Справочник MOSFET. IXTA16N50P

 

IXTA16N50P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTA16N50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
   trⓘ - Время нарастания: 400 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IXTA16N50P

 

 

IXTA16N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  ixys
 ixta16n50p ixtp16n50p ixtq16n50p.pdf

IXTA16N50P IXTA16N50P

IXTA 16N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTP 16N50P ID25 = 16 APower MOSFETIXTQ 16N50P RDS(on) 400 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VGVGS Continuous 30 VSVGSM Transient 40 V(TAB)ID25 TC = 25C16 A

 8.1. Size:164K  ixys
 ixta160n10t7.pdf

IXTA16N50P IXTA16N50P

Preliminary Technical InformationVDSS = 100 VIXTA160N10T7TrenchMVTMID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 V1ID25 TC = 25C 160 A

 8.2. Size:197K  ixys
 ixta160n075t7.pdf

IXTA16N50P IXTA16N50P

Preliminary Technical InformationVDSS = 75 VIXTA160N075T7TrenchMVTMID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 6.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C75 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

 8.3. Size:174K  ixys
 ixta160n10t ixtp160n10t.pdf

IXTA16N50P IXTA16N50P

Preliminary Technical InformationIXTA160N10T VDSS = 100 VTrenchMVTMIXTP160N10T ID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VTO-220 (IXTP)VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 V

 8.4. Size:174K  ixys
 ixta160n075t ixtp160n075t.pdf

IXTA16N50P IXTA16N50P

Preliminary Technical InformationIXTA160N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP160N075T ID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 6.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 V S D (TAB)ID25 TC = 25C 16

 8.5. Size:204K  ixys
 ixta160n04t2 ixtp160n04t2.pdf

IXTA16N50P IXTA16N50P

Preliminary Technical InformationIXTA160N04T2 VDSS = 40VTrenchT2TMIXTP160N04T2 ID25 = 160APower MOSFET RDS(on) 5m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C40 VSVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 40 V(TAB)VGSM Transient 20 VTO-220 (IXTP)ID25 TC

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top