Справочник MOSFET. IXTA240N055T

 

IXTA240N055T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA240N055T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXTA240N055T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA240N055T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  ixys
ixta240n055t ixtp240n055t.pdfpdf_icon

IXTA240N055T

Preliminary Technical InformationIXTA240N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP240N055T ID25 = 240 APower MOSFET RDS(on) 3.6 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC = 25C 2

 0.1. Size:162K  ixys
ixta240n055t7.pdfpdf_icon

IXTA240N055T

Preliminary Technical InformationVDSS = 55 VIXTA240N055T7TrenchMVTMID25 = 240 APower MOSFET RDS(on) 3.6 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25C 240 A 7

 9.1. Size:198K  ixys
ixta200n075t7.pdfpdf_icon

IXTA240N055T

Preliminary Technical InformationVDSS = 75 VIXTA200N075T7TrenchMVTMID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C75 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

 9.2. Size:214K  ixys
ixta220n055t ixtp220n055t.pdfpdf_icon

IXTA240N055T

Preliminary Technical InformationIXTA220N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP220N055T ID25 = 220 APower MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 T

Другие MOSFET... IXTA220N04T2 , IXTA220N04T2-7 , IXTA220N055T , IXTA220N055T7 , IXTA220N075T , IXTA220N075T7 , IXTA230N075T2 , IXTA230N075T2-7 , 5N50 , IXTA240N055T7 , IXTA24P085T , IXTA260N055T2 , IXTA260N055T2-7 , IXTA26P10T , IXTA26P20P , IXTA28P065T , IXTA2N100 .

History: 2SK2941 | HM4N65I | MDIB6N70CTH | BUK7E2R6-60E | SVFP14N60CFJ | STW20N95K5 | 2SK3513-01S

 

 
Back to Top

 


 
.