IXTA2N100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTA2N100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 800 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IXTA2N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA2N100 даташит

 ..1. Size:76K  ixys
 ixta2n100 ixtp2n100.pdf pdf_icon

IXTA2N100

High Voltage VDSS = 1000 V IXTA 2N100 MOSFET ID25 = 2 A IXTP 2N100 RDS(on) = 7 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 20 V D (TAB) G VGSM Transient 30 V D S ID25 TC = 25 C2 A IDM TC = 25 C, pulse width limited by

 8.1. Size:113K  ixys
 ixta2n80 ixtp2n80.pdf pdf_icon

IXTA2N100

VDSS = 800 V High Voltage MOSFET IXTA 2N80 ID25 = 2 A IXTP 2N80 RDS(on) = 6.2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated Preliminary Data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V VGS Continuous 20 V D (TAB) G VGSM Transient 30 V D S ID25 TC = 25 C2 A

 9.1. Size:198K  ixys
 ixta200n075t7.pdf pdf_icon

IXTA2N100

Preliminary Technical Information VDSS = 75 V IXTA200N075T7 TrenchMVTM ID25 = 200 A Power MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (7-lead) (IXTA..7) VDSS TJ = 25 C to 175 C75 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 V VGSM Transient 20 V 1 ID25 TC = 25

 9.2. Size:214K  ixys
 ixta220n055t ixtp220n055t.pdf pdf_icon

IXTA2N100

Preliminary Technical Information IXTA220N055T VDSS = 55 V TrenchMVTM IXTP220N055T ID25 = 220 A Power MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V G VGSM Transient 20 V S (TAB) ID25 T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTA240N055T, IXTA240N055T7, IXTA24P085T, IXTA260N055T2, IXTA260N055T2-7, IXTA26P10T, IXTA26P20P, IXTA28P065T, IRF540N, IXTA2N100P, IXTA2N80P, IXTA2R4N120P, IXTA300N04T2, IXTA300N04T2-7, IXTA32N20T, IXTA32P05T, IXTA32P20T