IXTA32P20T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTA32P20T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IXTA32P20T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA32P20T даташит

 9.1. Size:237K  ixys
 ixta3n50p ixtp3n50p ixty3n50p.pdf pdf_icon

IXTA32P20T

IXTA 3N50P VDSS = 500 V PolarHVTM IXTP 3N50P ID25 = 3.6 A Power MOSFET IXTY 3N50P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS 30 V VGSM 40 V (TAB) G D S ID25 TC = 25 C 3.6 A IDM

 9.2. Size:168K  ixys
 ixta3n50d2-ixtp3n50d2.pdf pdf_icon

IXTA32P20T

Depletion Mode VDSX = 500V IXTA3N50D2 MOSFET ID(on) > 3A IXTP3N50D2 RDS(on) 1.5 N-Channel TO-263 AA (IXTA) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSX TJ = 25 C to 150 C 500 V D (Tab) VGSX Continuous 20 V VGSM Transient 30 V TO-220AB (IXTP) PD TC = 25 C 125 W TJ - 55 ... +150 C TJM 150 C Tstg - 55 ... +150 C G D D (Tab)

 9.3. Size:562K  ixys
 ixta3n120 ixtp3n120.pdf pdf_icon

IXTA32P20T

VDSS ID25 RDS(on) High Voltage IXTA 3N120 Power MOSFETs 1200 V 3 A 4.5 IXTP 3N120 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1200 V VGS Continuous 20 V D (TAB) G VGSM Transient 30 V D S ID25 TC = 25 C3 A IDM TC =

 9.4. Size:560K  ixys
 ixta3n120trl.pdf pdf_icon

IXTA32P20T

VDSS ID25 RDS(on) High Voltage IXTA 3N120 Power MOSFETs 1200 V 3 A 4.5 IXTP 3N120 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1200 V VGS Continuous 20 V D (TAB) G VGSM Transient 30 V D S ID25 TC = 25 C3 A IDM TC =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTA2N100, IXTA2N100P, IXTA2N80P, IXTA2R4N120P, IXTA300N04T2, IXTA300N04T2-7, IXTA32N20T, IXTA32P05T, IRFB4110, IXTA36N30P, IXTA36P15P, IXTA3N100D2, IXTA3N100P, IXTA3N110, IXTA3N120, IXTA3N50D2, IXTA3N50P