Справочник MOSFET. IXTA44P15T

 

IXTA44P15T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA44P15T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXTA44P15T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA44P15T Datasheet (PDF)

 9.1. Size:196K  ixys
ixta4n150hv.pdfpdf_icon

IXTA44P15T

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSS = 1500VIXTA4N150HVID25 = 4APower MOSFETsIXTT4N150HV RDS(on) 6 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-263Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VD (Tab)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient

 9.2. Size:238K  ixys
ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdfpdf_icon

IXTA44P15T

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG

 9.3. Size:154K  ixys
ixta460p2-ixtp460p2-ixtq460p2-ixth460p2.pdfpdf_icon

IXTA44P15T

PolarP2TM VDSS = 500VIXTA460P2ID25 = 24APower MOSFETIXTP460P2 RDS(on) 270m IXTQ460P2N-Channel Enhancement Modetrr(typ) = 400nsAvalanche Rated IXTH460P2Fast Intrinsic DiodeTO-220AB (IXTP)TO-263 AA (IXTA)TO-3P (IXTQ)GGS DGD SD (Tab)D (Tab) SD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 V

 9.4. Size:313K  ixys
ixty4n65x2 ixta4n65x2 ixtp4n65x2.pdfpdf_icon

IXTA44P15T

X2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VGVGSM Transient 40 VSID25 TC

Другие MOSFET... IXTA3N100P , IXTA3N110 , IXTA3N120 , IXTA3N50D2 , IXTA3N50P , IXTA3N60P , IXTA42N15T , IXTA42N25P , STP75NF75 , IXTA460P2 , IXTA48N20T , IXTA48P05T , IXTA4N60P , IXTA4N80P , IXTA50N20P , IXTA50N25T , IXTA50N28T .

History: 2SK3835 | 2SK3935 | UT2309 | PP9C15AF

 

 
Back to Top

 


 
.