IXTA44P15T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTA44P15T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IXTA44P15T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA44P15T даташит

 9.1. Size:196K  ixys
ixta4n150hv.pdfpdf_icon

IXTA44P15T

Preliminary Technical Information High Voltage VDSS = 1500V IXTA4N150HV ID25 = 4A Power MOSFETs IXTT4N150HV RDS(on) 6 N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode TO-263 Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 1500 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1500 V D (Tab) VGSS Continuous 30 V VGSM Transient

 9.2. Size:238K  ixys
ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdfpdf_icon

IXTA44P15T

Preliminary Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTY4N65X2 Power MOSFET ID25 = 4A IXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXTY) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V TO-263 (IXTA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V G

 9.3. Size:154K  ixys
ixta460p2-ixtp460p2-ixtq460p2-ixth460p2.pdfpdf_icon

IXTA44P15T

PolarP2TM VDSS = 500V IXTA460P2 ID25 = 24A Power MOSFET IXTP460P2 RDS(on) 270m IXTQ460P2 N-Channel Enhancement Mode trr(typ) = 400ns Avalanche Rated IXTH460P2 Fast Intrinsic Diode TO-220AB (IXTP) TO-263 AA (IXTA) TO-3P (IXTQ) G G S D G D S D (Tab) D (Tab) S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V

 9.4. Size:313K  ixys
ixty4n65x2 ixta4n65x2 ixtp4n65x2.pdfpdf_icon

IXTA44P15T

X2-Class VDSS = 650V IXTY4N65X2 Power MOSFET ID25 = 4A IXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXTY) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V TO-263 (IXTA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V G VGSM Transient 40 V S ID25 TC

Другие IGBT... IXTA3N100P, IXTA3N110, IXTA3N120, IXTA3N50D2, IXTA3N50P, IXTA3N60P, IXTA42N15T, IXTA42N25P, 7N65, IXTA460P2, IXTA48N20T, IXTA48P05T, IXTA4N60P, IXTA4N80P, IXTA50N20P, IXTA50N25T, IXTA50N28T