Справочник MOSFET. IXTA4N60P

 

IXTA4N60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA4N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXTA4N60P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA4N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  ixys
ixta4n60p ixtp4n60p ixtu4n60p ixty4n60p.pdfpdf_icon

IXTA4N60P

IXTA4N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTP4N60P ID25 = 4 APower MOSFETIXTU4N60P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement ModeIXTY4N60PAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VTO-220 (IXTP)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient 40 V

 7.1. Size:238K  ixys
ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdfpdf_icon

IXTA4N60P

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG

 7.2. Size:313K  ixys
ixty4n65x2 ixta4n65x2 ixtp4n65x2.pdfpdf_icon

IXTA4N60P

X2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VGVGSM Transient 40 VSID25 TC

 8.1. Size:196K  ixys
ixta4n150hv.pdfpdf_icon

IXTA4N60P

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSS = 1500VIXTA4N150HVID25 = 4APower MOSFETsIXTT4N150HV RDS(on) 6 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-263Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VD (Tab)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient

Другие MOSFET... IXTA3N50P , IXTA3N60P , IXTA42N15T , IXTA42N25P , IXTA44P15T , IXTA460P2 , IXTA48N20T , IXTA48P05T , 2N7000 , IXTA4N80P , IXTA50N20P , IXTA50N25T , IXTA50N28T , IXTA52P10P , IXTA56N15T , IXTA5N50P , IXTA5N60P .

History: 2SK738 | OSG65R070PT3F | ME4972-G | PB606BA | P4506BD | CEM9936A | SI7617DN

 

 
Back to Top

 


 
.