IXTA50N28T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTA50N28T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 340 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 280 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Общий заряд затвора (Qg): 87 nC
Время нарастания (tr): 180 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.066 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IXTA50N28T
IXTA50N28T Datasheet (PDF)
ixta50n25t ixtq50n25t ixtp50n25t ixth50n25t.pdf
IXTA50N25T IXTQ50N25TTrench Gate VDSS = 250VIXTP50N25T IXTH50N25TID25 = 50APower MOSFET RDS(on) 60m N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXTA) TO-220AB (IXTP) TO-3P (IXTQ)G GDSSGD (Tab)DD (Tab) D (Tab)STO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M
ixta5n60p ixtp5n60p.pdf
VDSS = 600 VIXTA 5N60PPolarHVTMID25 = 5 AIXTP 5N60PPower MOSFET RDS(on) 1.7 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C 600 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuous 30 VGVGSM Transient 40 VS(TAB)ID25 TC = 25C5 ATO-220 (I
ixta52p10p ixtp52p10p ixtq52p10p ixth52p10p.pdf
PolarPTM VDSS = - 100VIXTA52P10PID25 = - 52APower MOSFETsIXTP52P10P RDS(on) 50m IXTQ52P10PP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedIXTH52P10PTO-3P (IXTQ)TO-263 AA (IXTA) TO-220AB (IXTP)DGGGSDG SSD (Tab)D D (Tab)S TabSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C -100 VVDGR TJ = 2
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IPD60R180P7 | IPD70R600P7S
