Справочник MOSFET. IXTA90N055T2

 

IXTA90N055T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA90N055T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXTA90N055T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA90N055T2 Datasheet (PDF)

 3.1. Size:215K  ixys
 ixta90n055t ixtp90n055t.pdf pdf_icon

IXTA90N055T2

Preliminary Technical InformationIXTA90N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP90N055T ID25 = 90 APower MOSFET RDS(on) 8.8 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC =

Другие MOSFET... IXTA80N10T , IXTA80N10T7 , IXTA80N12T2 , IXTA86N20T , IXTA88N085T , IXTA88N085T7 , IXTA8N50P , IXTA90N055T , 10N65 , IXTA90N075T2 , IXTA90N15T , IXTA96P085T , IXTA98N075T , IXTA98N075T7 , IXTB30N100L , IXTB62N50L , IXTC110N055T .

History: HGD058N08SL | IXTK120N25P | STD100N03LT4 | SSM6P15FU | STW75N60M6 | HGP059N08A | SWN7N65K2

 

 
Back to Top

 


 
.