IXTA90N055T2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTA90N055T2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IXTA90N055T2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA90N055T2 даташит

 3.1. Size:215K  ixys
 ixta90n055t ixtp90n055t.pdf pdf_icon

IXTA90N055T2

Preliminary Technical Information IXTA90N055T VDSS = 55 V TrenchMVTM IXTP90N055T ID25 = 90 A Power MOSFET RDS(on) 8.8 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V G VGSM Transient 20 V S (TAB) ID25 TC =

Другие IGBT... IXTA80N10T, IXTA80N10T7, IXTA80N12T2, IXTA86N20T, IXTA88N085T, IXTA88N085T7, IXTA8N50P, IXTA90N055T, 4N60, IXTA90N075T2, IXTA90N15T, IXTA96P085T, IXTA98N075T, IXTA98N075T7, IXTB30N100L, IXTB62N50L, IXTC110N055T