Справочник MOSFET. IXTA96P085T

 

IXTA96P085T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTA96P085T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 298 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 85 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 96 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 180 nC
   Время нарастания (tr): 55 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IXTA96P085T

 

 

IXTA96P085T Datasheet (PDF)

 9.1. Size:215K  ixys
ixta90n055t ixtp90n055t.pdf

IXTA96P085T IXTA96P085T

Preliminary Technical InformationIXTA90N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP90N055T ID25 = 90 APower MOSFET RDS(on) 8.8 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC =

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top