IXTB30N100L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTB30N100L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 800 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1000 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: PLUS264

Аналог (замена) для IXTB30N100L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTB30N100L даташит

No data!

Другие IGBT... IXTA8N50P, IXTA90N055T, IXTA90N055T2, IXTA90N075T2, IXTA90N15T, IXTA96P085T, IXTA98N075T, IXTA98N075T7, RFP50N06, IXTB62N50L, IXTC110N055T, IXTC110N25T, IXTC13N50, IXTC160N10T, IXTC180N085T, IXTC180N10T, IXTC200N075T