Справочник MOSFET. IXTC160N10T

 

IXTC160N10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTC160N10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 83 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS220
 

 Аналог (замена) для IXTC160N10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTC160N10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  ixys
 ixtc160n10t.pdf pdf_icon

IXTC160N10T

Preliminary Technical InformationIXTC160N10T VDSS = 100 VTrenchMVTMID25 = 83 APower MOSFET RDS(on) 7.5 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220 (IXTC)E153432VDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient

 9.1. Size:186K  ixys
 ixtc110n25t.pdf pdf_icon

IXTC160N10T

Trench Gate VDSS = 250VIXTC110N25TPower MOSFET ID25 = 50A RDS(on) 27m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS220 (IXTC)Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 250 VVGSS Continuous 20 VGVGSM Transient 30 VD

Другие MOSFET... IXTA96P085T , IXTA98N075T , IXTA98N075T7 , IXTB30N100L , IXTB62N50L , IXTC110N055T , IXTC110N25T , IXTC13N50 , CS150N03A8 , IXTC180N085T , IXTC180N10T , IXTC200N075T , IXTC200N085T , IXTC200N10T , IXTC220N055T , IXTC220N075T , IXTC230N085T .

History: 2N5905 | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | 90N03L | CS10N65FA9HD | NVD4810N | RSS070P05

 

 
Back to Top

 


 
.