Справочник MOSFET. IXTC180N10T

 

IXTC180N10T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTC180N10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 151 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS220

 Аналог (замена) для IXTC180N10T

 

 

IXTC180N10T Datasheet (PDF)

 9.1. Size:186K  ixys
 ixtc110n25t.pdf

IXTC180N10T IXTC180N10T

Trench Gate VDSS = 250VIXTC110N25TPower MOSFET ID25 = 50A RDS(on) 27m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS220 (IXTC)Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 250 VVGSS Continuous 20 VGVGSM Transient 30 VD

 9.2. Size:187K  ixys
 ixtc160n10t.pdf

IXTC180N10T IXTC180N10T

Preliminary Technical InformationIXTC160N10T VDSS = 100 VTrenchMVTMID25 = 83 APower MOSFET RDS(on) 7.5 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220 (IXTC)E153432VDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top