Справочник MOSFET. IXTC240N055T

 

IXTC240N055T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTC240N055T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 132 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS220
 

 Аналог (замена) для IXTC240N055T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTC240N055T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  ixys
 ixtc240n055t.pdf pdf_icon

IXTC240N055T

Preliminary Technical InformationIXTC240N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMID25 = 132 APower MOSFET RDS(on) 4.0 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS240 (IXTC)E153432VDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient

 9.1. Size:175K  ixys
 ixtc26n50p.pdf pdf_icon

IXTC240N055T

IXTC 26N50P VDSS = 500 VPolarHVTMID25 = 15 APower MOSFET RDS(on) 260 m ISOPLUS220TM(Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V ISOPLUS220TM (IXTC)E153432VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 30 VVGSM Transi

 9.2. Size:186K  ixys
 ixtc280n055t.pdf pdf_icon

IXTC240N055T

Preliminary Technical InformationIXTC280N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMID25 = 145 APower MOSFET RDS(on) 3.6 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220 (IXTC)E153432VDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient

 9.3. Size:187K  ixys
 ixtc220n055t.pdf pdf_icon

IXTC240N055T

Preliminary Technical InformationIXTC220N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMID25 = 130 APower MOSFET RDS(on) 4.4 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220 (IXTC)E153432VDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTC180N085T , IXTC180N10T , IXTC200N075T , IXTC200N085T , IXTC200N10T , IXTC220N055T , IXTC220N075T , IXTC230N085T , IRF730 , IXTC250N075T , IXTC26N50P , IXTC280N055T , IXTC36P15P , IXTC62N15P , IXTC75N10 , IXTC96N25T , IXTD110N25T-8W .

History: HUF75307D3ST | FDR8508P | STD1NA60-1

 

 
Back to Top

 


 
.